【摘 要】
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建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.模型采用平行电容耦合放电方式. 模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70 M
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,希腊帕特雷大学等离子体技术实验室
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建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.模型采用平行电容耦合放电方式. 模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70 MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域.模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的.模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应.将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好.
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