【摘 要】
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以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明：适量的烧结助剂能
【机 构】
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南京工业大学材料科学与工程学院,南京三乐电子信息产业集团有限公司
【基金项目】
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江苏高校优势学科建设工程项目（PAPD）, 长江学者和创新团队发展计划（PCSIRT,IRT1146）
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以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明：适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6wt%时,样品显气孔率偏大;当助剂含量提高至8wt%~14wt%时,样品显气孔率显著降低,能够完全烧结致密化。复相陶瓷在烧结助剂含量为10wt%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.14%。在烧结助剂含量为8wt%时,样品具有最高的热导率51.72W·
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