【摘 要】
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为测试DICE结构抗辐射静态随机存储器(Static random-access memory,SRAM)在生产制造后是否存在故障,针对DICE结构抗辐射SRAM设计存储器内建自测试电路(Memory built-in self
【机 构】
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黑龙江大学电子工程学院,哈尔滨工业大学微电子中心
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61504032),黑龙江大学研究生创新科研项目基金资助项目(YJSCX2020-173HLJU)
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为测试DICE结构抗辐射静态随机存储器(Static random-access memory,SRAM)在生产制造后是否存在故障,针对DICE结构抗辐射SRAM设计存储器内建自测试电路(Memory built-in self-test,MBIST)。DICE结构SRAM不同于传统结构SRAM,由于它的存储单元结构更复杂,更多缺陷易出现在DICE结构SRAM的生产制造过程中。为了有针对性地测试出由这些缺陷导致的故障,提出了一种针对DICE结构SRAM的改进算法,此算法在March C算法的基础上仅增加了
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