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碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究
碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究
来源 :四川大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangli_java
【摘 要】
:
利用石墨平面碳原子轨道作sp^2杂化时π电子的紧束缚模型,通过限定波矢 k周期性边界条件,构造了碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质。结果表明碳纳米卷的电子结构与其几何结
【作 者】
:
王昭
侯汝艳
【机 构】
:
德宏师范高等专科学校
【出 处】
:
四川大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2016年4期
【关键词】
:
碳纳米卷
紧束缚模型
电子结构
能隙
态密度
Carbon nanoscrolls
Tight-binding model
Electronic struc
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利用石墨平面碳原子轨道作sp^2杂化时π电子的紧束缚模型,通过限定波矢 k周期性边界条件,构造了碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质。结果表明碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性和结构参数,可将其调制成不同带隙的半金属或半导体。
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