冰冻芯片能提高Si芯片的速度

来源 :集成电路通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangzhijian2006

【摘要】

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IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片工作速度。他们将基于Si的芯片，通过将电路“冰冻”在零下451℃下，使电路在500GHz以上频率工作，比当今手机通常2GHz频率快

【出处】

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集成电路通讯

【发表日期】

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2006年4期

【关键词】

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SIGE器件终极速度芯片冰冻电路工作频率 2GHz 通信系统 HDTV

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IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片工作速度。他们将基于Si的芯片，通过将电路“冰冻”在零下451℃下，使电路在500GHz以上频率工作，比当今手机通常2GHz频率快250倍。该项目研究宗旨是探索SiGe器件终极速度。超高频SiGe电路在育用通信系统、军用电子、宇宙和遥感顿域有潜在应用。人们期望推出新型功能强大、低功耗芯片，其应用是让HDTV和电影质量的视频传达到手机、汽车和其他设备上。SiGe芯片来自IBM200mm晶圆厂制造的第4代SiGe原型。在室温下，SiGe电路工作频率350

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