【摘 要】
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采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须（T-ZnOw）/聚四氟乙烯（PTFE）复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响。结果表明：随着晶须填料掺杂含量
【机 构】
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北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室,北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（50977001 51073015）
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采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须（T-ZnOw）/聚四氟乙烯（PTFE）复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响。结果表明：随着晶须填料掺杂含量的增加,复合材料的介电常数增大,但介电强度和绝缘电阻率下降;复合材料的电场强度-电流密度（E-J）曲线对应的场强阈值随着T-ZnOw填料含量的增加均降低,并且当T-ZnOw的质量分数为30%时,复合材料的电阻率为1.58×1010Ω.m,从而复合材料就能以较高的暂态电导率把累积在表面的静电荷释放掉。
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