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随着射频电路工作频率不断升高，ESD已经成为影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素。针对高速射频电路，设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路，并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化。采用Jazz 0.18μm SiGe BiCMOS工艺对ESD防护电路进行设计和流片。经过测试得出，ESD保护电压最高可达到3000V。更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别，改进后保护电压最高可达到4500V。文中阐述了ESD防护架构的基本原则，并给出了一种采用CMOS工艺设计应用于IC卡晶片上的防护工作电路。探讨了几个关键设计参数及其对ESD保护电路特性的影响，并做出了物理上的说明。