【摘 要】
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利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了显著提高,器件具有更宽的振荡频带.该器件新结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力,交流功率密度达到1.97 MW/cm2.该二极管是基于宽带隙半导体材料设计,这为GaN、SiC材料IMPA
【机 构】
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西北大学信息科学与技术学院,西安710127;上海精密计量测试研究所,上海201109;西安电子科技大学微电子学院,西安710071
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利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了显著提高,器件具有更宽的振荡频带.该器件新结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力,交流功率密度达到1.97 MW/cm2.该二极管是基于宽带隙半导体材料设计,这为GaN、SiC材料IMPATT器件的设计与制造提供参考价值.
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