【摘 要】
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用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系,中国科学院上海冶金研究所
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用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大.当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而Hc则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小.对于NiO(70nm)/NiFe(t1)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2)自旋阀多层膜材料 (括号内的量表示厚度),研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值最大,约为1.6%.
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