【摘 要】
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本文叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200～300℃的温度条件下淀积Si_3N_4膜。给出不同射频功率、淀积温度和Si/N气体浓度条件下得到的淀积速率、腐蚀速率和折射率等
【机 构】
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重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所
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本文叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200～300℃的温度条件下淀积Si_3N_4膜。给出不同射频功率、淀积温度和Si/N气体浓度条件下得到的淀积速率、腐蚀速率和折射率等实验数据,以及它们对膜质量、膜均匀性的影响。同时还给出红外光谱仪分析膜组分的结果。
This paper describes the glow discharge plasma generated by radio frequency electric field, deposited Si_3N_4 film at the temperature of 200 ~ 300 ℃. The experimental data of deposition rate, corrosion rate and refractive index obtained under different RF power, deposition temperature and Si / N concentration are given, and their influence on film quality and film uniformity are also presented. At the same time, the results of the analysis of membrane components by infrared spectrometer are also given.
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