【摘 要】
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本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.
This pa
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京100084,北京100084,北京100084,北京100084
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本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.
This paper introduces the research results of rapid thermal processing technology, including: RHT device, RTA mechanism of high-dose implanted silicon and selection of the best RTA conditions, as well as shallow PN junction fabrication, silicide formation, BPSG reflow and rapid nitridation of thin oxide RTP technology.
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