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在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率，掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
【摘 要】
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在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率，掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年9期
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