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研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件，通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式，从而获得了高的编程速度和注入效率，降低了工作电压．并对SCDI器件结构和常规器件结构进行了模拟分析，提出了改进SCDI器件性能的优化方案。
SCDI结构快闪存储器件Ⅰ：模拟与分析
【摘 要】
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研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件，通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式，从而获得了高的编程速度和注入效率，降低了工作电压．并对SCDI器件结构和常规
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年4期
【基金项目】
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国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ),,国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 3 )资助项目~~
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