【摘 要】
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为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-visDR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙
【机 构】
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安徽科技学院化学与材料工程学院,合肥工业大学化学工程学院,安徽德力日用玻璃股份有限公司,赛鼎工程有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(21603002),安徽科技学院重点学科建设项目(AKZDXK/2015A01),安徽科技学院稳定高层次人才项目(AHSTU-SHTP201801).
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为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-visDR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变,而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si-O-Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下,即偏置电压±500V,浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L^-1,紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9%和80%.与未改性碳化硅样品相比,NaOH浸蚀后SiC对光降
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