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利用超高真空电子束蒸发,在Si衬底上沉积Co-Si多层膜,经热处理后,发现在600-700℃内CoSi2形成的过程中,成核控制,界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用,并因此而造成了CoSi2薄膜生长动力学的极其复杂性,本文对样品进行了电阻率和扩展电阻测量,并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径。