Hg_(1-x)Cd_xTe低温热处理条件与组分的关系

来源 :红外研究(A辑) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yjszf22222222
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由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,在77K至室温的范围内,在磁场强度为2kGs下,用范德堡法测量其霍耳系数R,电阻率ρ,计算载流子迁移率。根据测量结果,选出霍耳曲线在低温端有平台、77K迁 Due to the Hg vacancy, HgCdTe crystals that are in equilibrium at high temperatures are P-type. P-type samples after low temperature treatment, into N-type. In a variety of samples processed under different conditions, the choice of various components, better structure, large grain samples, the electrode surface, in the range of 77K to room temperature, the magnetic field strength of 2kGs, Fort method to measure the Hall coefficient R, resistivity ρ, calculate the carrier mobility. According to the measurement results, the selection of the Hall curve at a low temperature end of the platform, 77K move
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