Photoluminescence Evaluation of p and n Type 6H—SiC

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kongguoying

【摘要】

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Photoluminescence evaluation of p and n type 6H-SiC samples has been done.Results show that at low temperature the photoluminescence of 6H-SiC is clearly domina

【作者】

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ZHANGYonggang LIAizhen

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics

【出处】

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半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

1999年1期

【关键词】

：

光致发光估算碳化硅 Impurity Photoluminescence Silicon Carbide

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Photoluminescence evaluation of p and n type 6H-SiC samples has been done.Results show that at low temperature the photoluminescence of 6H-SiC is clearly dominated by donor-acceptor pair transitions,in some case,free-to-donor transition could be observed

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