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采用VHF—PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明：随着衬底温度的升高，微晶硅锗薄膜的生长速率减小，（220）晶向强度增强；而同一衬底温度下，锗浓度的增加将抑制薄膜（220）晶向的生长，通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。