【摘 要】
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本文从硅可控整流器(简称 SCR)伏安特性着手,讨论了 SCR 的导通过程。发现一般有关 SCR 伏安特性的画法与实际观察到的伏安特性是不相符的。用两个晶体管互激励模型,能很好地
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本文从硅可控整流器(简称 SCR)伏安特性着手,讨论了 SCR 的导通过程。发现一般有关 SCR 伏安特性的画法与实际观察到的伏安特性是不相符的。用两个晶体管互激励模型,能很好地描述 SCR 的导通概念和伏安特性。最后,用电荷控制晶体管概念,推导出 SCR 上升时间 t_r 的表达式,并讨论了各因素对 SCR 上升时间的影响。
In this paper, silicon controlled rectifier (SCR for short) volt-ampere characteristics of the start to discuss the SCR conduction process. It was found that the general drawing on the SCR voltammetry was not consistent with the observed volt-ampere characteristics. Mutual excitation model with two transistors, SCR can be a good description of the concept of conduction and volt-ampere characteristics. Finally, the concept of charge control transistor is used to derive the expression of SCR rise time t_r, and the influence of various factors on SCR rise time is discussed.
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