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修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法
修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:julykoko
【摘 要】
:
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、0.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出
【作 者】
:
李辉
洪伟
张斌
施江伟
铁宏安
【机 构】
:
南京电子器件研究所,东南大学
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2005年4期
【关键词】
:
赝配高电子迁移率晶体管
模型
ICCAP
PHEMT
model
ICCAP
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针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、0.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.
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