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从改善速度和电流驱动能力出发，设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式，优选了元器件参数，并采取提速和增大驱动电流的措施。实验结果表明，所设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2．6V≤VDD≤4．0V的范围内，综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了36．52pJ，输出级BJT的驱动电流可达1．40mA以上，因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。