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短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用器件和工艺模拟工具ISE—TCAD研究形成Halo结构的工艺参数对器件性能的影响，并进行优化。分析表明，Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比，降低泄漏电流和阚值漂移．有效抑制SCE、DIBL效应，但同时也会部分地降低驱动能力，即Halo注入参数对器件性能的影响不是简单的线性关系，需要根据具体条件寻求优化值。