【摘 要】
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报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μ
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报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm.
A four-finger cascode 75 GHz microwave monolithic integrated power amplifier (MMIC) based on InP-based dual-panel HBT technology is reported with a maximum oscillation frequency fmax of 150 GHz. The output of the amplifier emits The pole area is 15μm × 4μm. The power amplifier has a power gain of 12.3 dB at 75 GHz and a saturated output power of 13.92 dBm. The amplifier achieves a maximum output power of 14.53 dBm at 2 dBm input at 72.5 GHz. The entire chip transmission connection uses a coplanar Waveguide structure, the chip area of 1.06 mm × 0.75 mm.
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