表面过剩S^2—对CdS光催化的影响与带位匹配

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jacklong1234
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用ESR方法研究了硫化镉超微粒子表面被不同浓度的过剩硫离子S2-改性后对其光诱导电子转移及底物的氧化还原反应进程的影响.结果表明,在较高浓度下光还原反应易于进行.若所用底物的氧化还原电位E0为负值,在无过剩S2-存在及低浓度S2环境中不发生光还原反应,但却可在高浓度S2-环境发生反应;若底物的E为正值,则在无硫离子及较低硫离子浓度下能够发生的光氧化反应,在高浓度时则被完全抑止.这是由于表面过剩S2-的作用,改变了底物的氧化还原电位与半导体超细微粒带隙间的匹配关系.根据Langmuir等温吸附模型,进一步导
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