【摘 要】
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具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ ＭＭＩＣ ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，...
Broad Band P-HEMT MMIC LNA with Low Temperature
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具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ ＭＭＩＣ ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，...
Broad Band P-HEMT MMIC LNA with Low Temperature Characteristics “IETETMT & T” 1993, No.6-7 (1993) reported the fabrication of two 8-18GHZ wideband single-stage MMIC LNAs using a 0.2μm T gate and InGaAsP-HEMT process. One of them is a balanced structure of P-HEMTMMICLNA, ...
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