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采用室温Ｒａｍａｎ散射和低温光致发光（ＰＬ）谱，对以ＴＭＧ，固体Ａｓ和固体Ｉｎ作为分子束源的ＭＯＭＢＥ法生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０．３）单层异质结构和多量子阱结构中ＩｎＧａＡｓ应变层的界厚度进行了实验研究。由应变引起的Ｒａｍａｎ散射峰位移，以及ＰＬ谱峰位置与应变和无应变状态下一维有限深热阱跃迁能量计算的比较可见，在Ｉｎ组分含量Ｘ＝０．３的情况下，临界厚度ｈｃ≤５ｎｍ，小于能量平衡