【摘 要】
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研究采用sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于A1-A1直接热压键合，该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100mm硅片，溅射一层500nm厚度的Al层后，在N2
【机 构】
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北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京信息科技大学信息微系统研究所
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研究采用sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于A1-A1直接热压键合，该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100mm硅片，溅射一层500nm厚度的Al层后，在N2气氛下进行450℃，30分钟退火，采用Ar等离子体清洗后，溅射一层500nm厚度的sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合，在真空中进行。键合时间为3分钟条件下，得到平均剪切强度为9．9MPa，随着键合时间增加，剪切强度显著降低。
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