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采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb（Hf0.3Ti0.7）O3（PHT）铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能.研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的（111）择优取向;PHT 薄膜矫顽场（2Ec）为390kV/cm,剩余极化强度（2Pr）为53.1μC/cm^2,经1.5×10^9次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT 薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540.PHT 薄膜有望应用于铁电随机存储器.