【摘 要】
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随着半导体行业的发展,传统的Cusp磁场(勾型磁场)由于其耗能大,磁场强度低(<1000GS)等特点,难以适用于大尺寸晶体的长晶需求。超导横向磁场,由于其采用超导材料,在低温下,磁
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随着半导体行业的发展,传统的Cusp磁场(勾型磁场)由于其耗能大,磁场强度低(<1000GS)等特点,难以适用于大尺寸晶体的长晶需求。超导横向磁场,由于其采用超导材料,在低温下,磁场线圈电阻为0,即使磁场电流增大也不会产生发热,能到产生非常强的磁场强度(>4000GS),能够有效抑制硅液的纵向流动,对提高长晶的成功率,降低晶体的氧含量有着显著的作用。通过实验,采用超导磁场用于32寸坩埚长晶,能够将晶体氧含量降低到5*1017atom/cc,能够有效降低氧含量,提高晶体质量。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
1975年,出生于上海。1998年,毕业于上海大学美术学院中国画系。2007年,结业于上海中国画院高研班。现为上海书画出版社编辑,上海美术家协会会员,上海书法家协会理事,上海书画