【摘 要】
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目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁(TM)模式的偏振光,这极大
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所; 天津市电子材料和器件重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(51502074);河北省自然科学基金(F2017202052);天津市自然科学基金(16JCYBJC16200);人社部留学人员科技活动项目择优资助优秀类(CG2016008001);河北省百人计划项目(E2016100010);河北省高校百名优秀创新人才支持计划(SLRC2017032)
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目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁(TM)模式的偏振光,这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率(LEE);另一方面,受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平,DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差,增加了有源区内非辐射复合率,造成DUV LEDs器件内量子效率(IQE)的衰减。除此之外,载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE,尤其是空穴注入效率。为此,研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率,从而改善DUV LEDs器件的EQE。着重总结探讨了近年来提高DUV LEDs器件空穴注入效率的诸多措施,深刻揭示了其中的物理机理,对改善DUV LEDs的器件性能具有重要的意义。
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