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分析了采用真空微电子技术的微带放大器,该放大器可能在频率高达1THz下输出功率1～50W。说明了实际设计的限制因素,包括栅控场发射微带中的损耗、所要求的场发射电流、空间电荷对发射电流的限制以及热损耗等。提出了两种可能的设计并讨论了进一步工作的范围。
1THz真空微电子微带放大器的前景
【摘 要】
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分析了采用真空微电子技术的微带放大器,该放大器可能在频率高达1THz下输出功率1～50W。说明了实际设计的限制因素,包括栅控场发射微带中的损耗、所要求的场发射电流、空间电荷
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1992年4期
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