Fe／GaAs／Fe隧道结的磁电阻研究

来源 :四川师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：arnohuang123

【摘要】

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用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实

【作者】

：

任俊余万伦李玲

【机构】

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四川师范大学

【出处】

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四川师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

隧道结电子输运界面无序散射 TMR值 Tunnel junction Electron transport Interface disorder scatt

【基金项目】

：

四川省教育厅资助项目

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用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实验值吻合得很好.研究表明,界面无序的散射是造成TMR实验值很低的主要原因,而不是以往研究所认为的是界面处的自旋翻转的作用.

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