论文部分内容阅读
目前，采用Si上生长氮化镓（GaN）材料这一技术路线制备功率电子器件，已成为业界共识。而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术。成功地制备了无裂纹、低翘曲、高导通、均一性好、耐压高的2~8英寸Si衬底GaN外延片，外延材料满足650V功率器件要求。并在6英寸互补金属氧化物半导体（CMOs）产线上成功开发出650V，200mΩ的功率场效应晶体管（FET）器件。