圆壳体振弦式陀螺驱动设计与振动特性分析

来源 :传感器与微系统 | 被引量 : 0次 | 上传用户:szocean
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
针对微陀螺高精度和微型化的发展趋势,依据振弦式陀螺的工作原理建立了圆壳体振弦式陀螺驱动模型;应用Ansys软件分析了驱动中U形折叠梁结构参数以及内环驱动结构参数对驱动的影响,优化了驱动结构并建立了振动响应仿真分析.结果表明:圆壳体振弦式陀螺受驱动方向和驱动垂直方向的重力影响较大但变形小于1μm,优化后的U形折叠梁沿z方向有足够的刚性,可降低振弦式陀螺受z方向重力加速度的影响,且从谐响应分析中得出驱动峰值频率为3500 Hz,最大应力为132 kPa,幅值为9.27μm.从而验证了所提出的驱动模型的可行性,为实际产品试制研究奠定理论基础.
其他文献
目的 致力于设计出能够让用户产生沉浸式文化体验的海派绘画数字文创产品.方法 在Csikszentmihalyi的心流理论基础上,把海派绘画数字文创产品的设计拆分为设定明确清晰的体验目标、提供准确有效的情感反馈、平衡体验所需技能与挑战这三个步骤.第一步对应数字文创的内容设计,包含清晰的构架体系、可视化界面设计两个步骤,引导用户进入愉悦沉浸的体验状态;第二步对应数字文创的情感设计,包含正面反馈优先、多感官反馈优先两个步骤,保持用户的沉浸式体验状态;第三步对应数字文创的文化体验设计,包含调控体验难度、交互情景化
目的 探讨当代包装设计中图案元素表现的发展方向,给设计实践以思考和启示,提升包装设计质量.方法 首先对包装设计中图案元素的含义和特点进行了总结,然后探讨了图案表现的发展方向,包含民族化、地域化、扁平化等,并结合实际作品对这些发展方向进行了具体分析.结论 图案是包装设计的重要元素,伴随着时代发展和包装设计的变化,图案表现也呈现出了新的方向,需要设计者对此有充分的重视,并主动顺应这些发展方向,方能保证设计的与时俱进,在当代人喜闻乐见的同时,为包装设计的发展贡献一份自己的力量.
目的 探索在平面设计发展过程中对触觉的强化和凸显及实践途径.方法 结合当前平面设计领域的现实发展需求和其对信息传递的重视程度,以触觉为突破口,关注与迎合受众的心理与情感,得出触觉在增强平面设计的宣传效果、完善设计素材和强化情感体验等方面的影响,并从这三个方面的优势出发,结合材质、肌理和互动功能的创新与突破去探索书籍装帧设计、包装设计等对触觉元素的艺术化应用策略.结论 触觉元素之于平面设计是一种关键性存在,其不仅让原本单一的艺术形式变得丰富立体,增强了平面设计的多样化、艺术化效果,还凭借自身的优势给当前的平
期刊
金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力.综述了近些年针对提升金属氧化物半导体气体传感器性能的改性研究进展,从对本体材料掺杂、修饰以及复合等多方面探讨改性措施对金属氧化物半导体气体传感器性能的改善提升作用,并展望了金属氧化物半导体气体传感器未来的发展方向.
随着信息技术的发展,以机器学习、模式识别为代表的人工智能技术在故障诊断领域逐步得到应用.通过对振动噪声信号的采集,利用时频分析技术对信号进行分解,并提取故障特征参数,再利用机器学习或模式识别技术对信号进行判别分类,可以实现舰船机电装备的智能诊断.为了验证该方法,选择经验模态分解方法进行信号分解,采用支持向量机进行诊断分类.通过实验表明,该方法有着较高的诊断精度,故障诊断率达到了96.7%,可以对舰船机电装备常见故障进行准确的智能诊断.
研究了退火温度对铂薄膜微观结构和电学性能的影响.在高曲率微小金属探针表面原位制造铂薄膜温度探测器,在450,500,550℃条件下进行退火.研究了不同厚度SiO2薄膜对铂薄膜表面形貌的影响,重点介绍了经过不同温度退火后铂薄膜表面形貌和电学性能变化及其两者之间的相关性.实验结果表明:在金属探针表面制备2μm的SiO2薄膜,既可以达到绝缘的效果,也可以保证粘附性.铂薄膜温度探测器初始电阻值、灵敏度和迟滞都有较大提高.但温度越高,对铂薄膜温度探测器的线性度影响越小.由于初始电阻值的变化幅度明显大于斜率ΔT/ΔR
针对模态试验中使用加速度计时附加质量大、不易安装且对于结构曲率变化不敏感等问题,提出使用应变阵列测量位移模态与曲率模态.以悬臂梁为例,通过改变应变阵列的布置方法测量梁的位移和曲率模态,并与使用加速度计的模态分析结果进行对比.实验结果表明:通过改变应变阵列布置方法,可有针对性地提取结构的位移模态与曲率模态,且模态识别效果较好.与使用加速度计相比,应变阵列的主要优点在于其附加质量小,易于安装且能适用于复杂结构,成本低廉.
利用COMSOL软件建立了采用平层叉指换能器(IDT)布局及错层IDT布局的两种多层声表面波(SAW)器件模型,通过有限元法分别计算了两种模型在不同的薄膜层厚度、电极间距条件下的特征频率、机电耦合系数以及导纳比,并将这些结果进行了对比分析.结果表明:采用错层IDT布局的多层SAW器件在保证器件性能的条件下,结构尺寸可以缩小一倍,同时也降低了继续提高多层SAW器件特征频率的难度.
基于Geant4工具包对碳化硅中子传感器的性能进行了分析.分别对平面型和沟槽型中子传感器的结构参数进行了优化以使它们的本征探测效率取得最大值.基于双面交叉型碳化硅中子传感器结构,提出一种新型双面交叉T型沟槽结构可以完全消除中子自由流通路径,因此当低能甄别阈值(LLD)为300 keV时,本征探测效率提升了7.23%.此外,T型沟槽可以通过两次刻蚀进一步增加沟槽的刻蚀深度,为制造深沟槽刻蚀碳化硅中子传感器提供了可能性.在上沟槽部分使用离子注入形成部分掺杂的碳化硅中子传感器也为制造更高性能的器件提供了新的思路