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本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
【摘 要】
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本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年6期
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