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采用硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量子线列阵。扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构。实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸。
SiO2全封闭的硅量子线列阵
【摘 要】
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采用硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量子线列阵。扫描电镜观察清楚地显示了这种高
【机 构】
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南京大学物理系,南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年10期
【基金项目】
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国家“863”高技术、攀登计划,国家自然科学基金
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