论文部分内容阅读
模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于23°时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透膜，这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来。研究了使用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在已经制备了n电极和P电极的GaN基LED上制备钝化膜，分析了SiON和SiNx膜沉积对于器件的光输出功率的影响。通过实验证明，在器件上沉积SiON后，光输出功率增加。