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用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态.
磁控溅射的Ge／Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究
【摘 要】
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用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生
【机 构】
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云南师范大学物理与电子信息学院,云南大学材料科学与工程系
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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2002年2期
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