MOS型功率半导体器件的最新进展

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【摘要】

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综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题

【作者】

：

安涛王彩琳等

【机构】

：

西安理工大学

【出处】

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集成电路通讯

【发表日期】

：

2002年3期

【关键词】

：

MOS型功率半导体器件双极-场效应复合器件功率MOSFET 发展趋势

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综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。

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