MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文)

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通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03 mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象. By adding a high-order approximation term to the surface potential formula, the analytical approximate accuracy of the traditional surface potential is greatly enhanced, with the accuracy of the general pre-reforming parameters typically reaching the order of 1 nV and in some cases only reaching 0.03 mV. In all cases, the accuracy is about 1pV. At the same time, the improved approximation method eliminates the glitch in the original method error curve.
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