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为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG（电流转移特性）模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一致的铁电存储器1T单元的ID-VG特性模型。与测试数据进行对比,验证了该模型的正确性。
铁电存储器1T单元I_D-V_G特性的计算机模拟
【摘 要】
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为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG（电流转移特性）模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一
【机 构】
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广西工学院研究生处,广西工学院信息与计算科学系
【出 处】
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广西工学院学报
【发表日期】
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2008年1期
【基金项目】
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广西工学院硕士科研基金(070236)资助
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