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硅胶载体热活化过程中的局部烧结现象对催化剂的活性和性能有较大的破坏作用。本文利用XRD、SEM和原位FTIR等手段对三种热活化硅胶载体进行了研究。研究表明,T-1、T-3和T-4三种硅胶载体发生局部烧结现象的起始温度Ts值约分别为900℃、600℃(升温速率100℃/小时),局部烧结现象将引起硅胶载体非晶程度下降,扩散孔分率下降。SEM观察到了900℃热活化T-1硅胶中的局部烧结现象,其实质是原级