【摘 要】
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据日本光电子联合研究所报道,该研究所研制成直径2英寸无位错GaAs单晶。所采用的工艺是改进的LEC法,生长单晶用计算机控制,自动拉晶,并消除了炉内的温度波动。GaAs熔体中掺
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据日本光电子联合研究所报道,该研究所研制成直径2英寸无位错GaAs单晶。所采用的工艺是改进的LEC法,生长单晶用计算机控制,自动拉晶,并消除了炉内的温度波动。GaAs熔体中掺入
According to a report by the Japan Institute of Optoelectronics, the Institute has developed a 2-inch diameter dislocation-free GaAs single crystal. The process used is an improved LEC method, the growth of single crystal computer control, automatic crystal pulling, and eliminate the furnace temperature fluctuations. GaAs melt incorporation
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