AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究

来源 :第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:QINJF2000000
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采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AIN基衰减瓷.对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa.同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于-70 dB.
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