光检波微纳真空三极管技术

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光检波微纳真空三极管是通过调制光信息来控制器件的工作状态,包括发射电子密度以及三极管的开关状态,来进行信息处理与传递。通过分析MOS器件中二维电子气作用下电子发射特性,研究了GOS器件中光激发电子发射机理与发射模型,进而设计出周期性薄膜结构的真空沟道三极管。计算了垂直型与V型真空沟道中电场的分布,结果显示V型真空沟道的三极管可具有更高的电子发射能力和更快的响应速度。通过对比制备工艺,发现金属有机气相外延或分子束外延生长的周期性Ⅲ-V族半导体薄膜材料具有更高的生长质量且工艺简单,是制作光检波真空沟道三极管的
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