4H-SiC钒离子注入层的特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Silly728

【摘要】

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研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类

【作者】

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王超张玉明张义门

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

碳化硅半绝缘钒离子注入

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:60376001),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)和国防科技重点实验室基金(批准号:51432040103D0102)资助项目

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研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×109～1.6×1010 Ω·cm和2.0×106～7.6×106 Ω·cm.

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