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采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子注入机，合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜，并对其进行成分和结构分析。在小束流2．5gA·cm^-2、小注量5×10^16cm^-2的注入条件下，Er注入单晶硅，随着退火温度升高，存在Er析出，且析出量增多。相同束流条件下，增大Er的注量也会导致Er析出，甚至出现ErSi2相。