【摘 要】
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Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV,50eV,100eV and 150e
【机 构】
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Institute of Plasma Surface Interactions,Guizhou University,College of science,Guizhou University,Ke
【出 处】
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Plasma Science and Technology
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Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV,50eV,100eV and 150eV at normal incidence and room temperature.The improved Tersoff-Brenner potentials were used.The simu-lation results show that the steady-state etching rates are about 0.019,0.085 and 0.1701 for 50eV,100eV and 150eV,respectively.With increasing incident energy,a transition from C-rich surface to F-rich surface is observed.In the region modified by CF3,SiF and CF species are dominant.
Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV, 50eV, 100eV and 150eV at normal incidence and room temperature. The improved Tersoff-Brenner potentials were used. The simu-lation results show that the steady-state etching rates are about 0.019, 0.085 and 0.1701 for 50eV, 100eV and 150eV, respectively. Increasing incident energy, a transition from C-rich surface to F-rich surface is observed. In the region modified by CF3, SiF and CF species are dominant.
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