【摘 要】
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用射频磁控溅射方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明 ,薄膜具有很好的附着力 ,且含有少量的E BN和w BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯立方相。同时利用此方法得
【机 构】
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用射频磁控溅射方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明 ,薄膜具有很好的附着力 ,且含有少量的E BN和w BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯立方相。同时利用此方法得到了E BN薄膜。认为在薄膜生长过程中可能经历了一个从E BN到c BN的相转变过程。
Low-stress cubic boron nitride thin films were obtained by RF magnetron sputtering. Infrared spectroscopy results show that the film has good adhesion, and contains a small amount of E BN and w BN. Electron diffraction shows that the film surface is a pure cubic phase. At the same time, E BN film was obtained by this method. It is considered that the phase transition from E BN to c BN may be undergone during the film growth.
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