本文选择硫化镉(CdS)纳米线、二氧化硅(SiO2)包覆CdS纳米线组成的CdS-SiO2核壳结构核壳结构及CdS-SiO2核壳结构与胶体金(Au)颗粒组成的CdS-SiO2-Au复合结构为研究对象。CdS的禁带宽度Eg为2.42eV,属Ⅱ-Ⅵ半导体化合物,已被广泛应用于各种光电子器件中。但通常化学方法合成的CdS纳米线因直接暴露在空气中而不稳定,为了解决这个问题,薄的SiO2介电层被包覆在CdS纳米线的表面,这样极大地提高了CdS纳米线的稳定性,从而进一步使它的光学性质得到改善；胶体Au纳米颗粒因为具有表面等离子体共振的优异性能而受到了广泛研究；核壳结构集无机、有机、纳米材料的诸多性质于一体,可通过控制壳层的厚度来调控复合结构的性能,因此在医药、非线性光学器件、电发光器件以及催化等方面显示出诱人的应用前景。本论文的研究内容有如下三个方面：(1)采用半胱氨酸辅助溶剂热法成功合成了大量长径比大、尺寸均匀以及长度可观的CdS纳米线,分析了不同形貌的影响因素后确定：这种情况只有在CdO、S和半胱氨酸的摩尔比例为1：1：1时才能得到。分析了和纳米线可能的生长机理,同时对所得纳米线的光学性质进行了表征；(2)通过溶胶—凝胶法在CdS纳米线表面包覆一层均匀的SiO2壳层形成CdS-SiO2核壳结构,分析了影响包覆厚度的各个因素,研究了其紫外-吸收光谱和光致发光性质(PL)；(3)利用柠檬酸三钠还原氯金酸法制备粒径为15nm左右的Au溶胶,胶体Au的吸收峰在520nm左右；然后用3-氨基丙基三甲氧基硅烷使CdS-SiO2核壳结构表面改性,接着在其上均匀包上Au颗粒,得到CdS-SiO2-Au复合结构。进一步研究了这种复合纳米结构中金属颗粒产生的表面等离子体与半导体激子之间的耦合效应,利用扫描近场光学显微技术对其表面等离子体荧光增强性质进行了研究。